Método Czochralski: También llamado método del estiraje, fue desarrollado por Jan Czochralski en 1916. Esta técnica permite obtener cristales monocristalinos de gran tamaño, comúnmente utilizado en la fabricación de semiconductores, especialmente silicio para circuitos integrados. El proceso se realiza normalmente en una atmósfera controlada con argón, el material en polvo a fundir se coloca en un crisol de platino o cuarzo, el cual es calentado por un generador de radio frecuencia para lograr que el material pase al estado líquido (1412 °C). En la parte superior hay una varilla rotatoria en cuyo extremo se coloca un cristal germen para facilitar el crecimiento del cristal, este se desciende hasta hacer contacto con la superficie del líquido, luego la varilla es ascendida muy lentamente girando, así por tensión superficial parte del fundido es arrastrado y depositado sobre el germen, con lo que se logra su crecimiento. Los intervalos de estiraje son muy lentos, varía entre 1 mm a 10 cm por hora. Con este método se obtienen cristales de hasta 2 metros de largo y 30 cm de diámetro.
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